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北京市朝阳区酒仙桥路四号中国电科十一所园区
国瑞电子材料有限责任公司为北京有色金属研究总院和有研半导体材料股份有限公司共同投资组建的高技术公司，主要从事砷化镓、磷化镓等化合物半导体材料和其他高纯金属的生产经营。从50年代末开始研制半导电性砷化镓单晶等多种化合物半导体材料，目前已成为国内唯一能够批量生产和销售2英寸半导电性砷化镓单晶研磨片的单位。可年产砷化镓研磨片10万片，产品质量达到国际先进水平，除满足国内需要外，大部分产品出口美国、韩国、台湾等国家和地区，取得较好经济效益和社会效益。
本公司的前身是北京有色金属研究总院化合物半导体材料研究室。
成立于1958年。1991年11月与硅研究室一起，由国家计委组建为“国
家半导体材料工程研究中心”。成为国家半导体工程研究基地。
1999年2月中心与Ge研究室一起成立有研半导体材料股份公司。同年3月，成为由有研总院独家发起的上市公司-“有研硅股”。1999年12月，由有研总院、有研硅股和重庆佳德公司共同出资在河北廊坊经济技术开发区组建了一家化合物半导体材料生产和研发的企业——国瑞电子材料有限责任公司。注册资金3500万元。
1958年以来，在化合物半导体材料研发方面取得40多项重大成果。主要成果有：
1959年研制出我国第一根砷化镓单晶
1964年研制出直拉砷化镓和磷化铟单晶
1979年建立国内第一条砷化镓生产线
1979年首次研制出LED用GaP单晶
1994年研制出我国第一根直径3英寸水平砷化镓单晶
1997年研制出我国第一根直径4英寸LEC－SI砷化镓单晶
1999年拉制出我国第一根直径4英寸VCZ法砷化镓单晶
本公司是国内唯一规模生产HB-GaAs单晶和晶片、 GaP单晶和晶片以及HB-GaAs、GaP多晶等产品的企业，产品规格齐全，各种规格的产品质量均已达到国际商品水平，并批量进入国际市场。本公司还具有历史悠久、专业人才集中、拥有多项专有技术、自行研制HB-GaAs单晶生长设备、生产成本较低等优势。
国瑞公司已于2001年9月26日通过了GB/T 19002-1994 idt ISO9002:1994质量管理体系认证。
公司的质量方针是：
以创新求更高品质、以规范赢各方信任
公司的质量目标是：
产品合格率95%，顾客满意,无重大投诉.
这是本公司对顾客的郑重承诺
主要产品
HB-GaAs单晶、晶片
GaP单晶、晶片
HB-GaAs多晶、GaP多晶
SI-GaAs单晶、晶片
InAs单晶
InP单晶、多晶
GaSb单晶
董事长:崔风辉 总经理: 郑安生
地址： 河北省廊坊市经济技术开发区金源道
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